مقاله درمورد حافظه RAM

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل :  word (..doc) ( قابل ويرايش و آماده پرينت )
تعداد صفحه : 12 صفحه

 قسمتی از متن word (..doc) : 
 

‏2
‏حافظه RAM
‏ ‏حافظه (RAM‏(Random‏ Access‏ Memory‏ شناخته ترين نوع حافظه در دنيای‏ ‏ کامپيوتر است . روش دستيابی به اين نوع از حافظه ها‏ ‏ تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقيما” دستيابی پيدا کرد . در مقابل حافظه های RAM‏ ، حافظه های(SAM‏(Serial‏ Access‏ Memory‏ وجود دارند. حافظه های SAM‏ ‏ ‏اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخيره و صرفا” امکان دستيابی به آنها بصورت ترتيبی وجود خواهد داشت. ( نظير نوار کاست ) در صورتيکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر يک از سلول های حافظه به ترتيب بررسی شده تا داده مورد نظر پيدا گردد. حافظه های‏ ‏ SAM‏ در موارديکه پردازش داده ها الزاما” بصورت ترتيبی خواهد بود مفيد می باشند ( نظير حافظه موجود بر روی ‏کارت های گرافيک‏ ). داده های ذخيره شده در حافظه RAM‏ با هر اولويت دلخواه قابل دستيابی خواهند بود.
‏مبانی حافظه های RAM‏
‏حافظه‏ ‏ RAM‏ ‏، يک تراشه مدار مجتمع (IC‏) ‏ ‏بوده که از ميليون ها ترانزيستور و خازن تشکيل شده است .در اغلب حافظه ها‏ ‏ با استفاده و بکارگيری يک خازن و يک ترانزيستور می توان يک سلول‏ ‏ را ايجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری يک ‏بيت‏ داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بيت را که يک و يا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزيستور مشابه يک سوييچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود‏ ‏ بر روی تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخيره شده در خازن و يا تغيير وضعيت مربوط به آن ، فراهم می نمايد.خازن مشابه يک ظرف ( سطل)
‏3
‏ ‏ بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . بمنظور ذخيره سازی مقدار” يک”‏ ‏ در حافظه، ظرف فوق می بايست از الکترونها پر گردد. برای ذخيره سازی مقدار صفر، می بايست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدين ترتيب پس از گذشت چندين ميلی ثانيه يک ظرف مملو از الکترون تخليه می گردد. بنابراين بمنظور اينکه حافظه بصورت پويا اطلاعات‏ ‏ خود را نگهداری نمايد ، می بايست ‏پردازنده‏ و يا ” کنترل کننده حافظه ” قبل از تخليه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن بمنظور نگهداری مقدار “يک” باشند.بدين منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا” اطلاعات را بازنويسی می نمايد.عمليات فوق (Refresh‏)، هزاران مرتبه در يک ثانيه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM‏ بدين دليل است که اين نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پويا خواهند بود. فرآيند تکراری ” بازخوانی / بازنويسی اطلاعات” در اين نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.
‏سلول های حافظه‏ ‏ بر روی يک تراشه‏ ‏ سيليکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بيت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکيل می گردند. نقطه تلاقی يک سطر و ستون بيانگر آدرس سلول حافظه است .
‏حافظه های DRAM‏ با ارسال يک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزيستور در هر بيت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعيتی خواهند شد که خازن می بايست به آن وضغيت تبديل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier‏ ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گيری می نمايد. در صورتيکه سطح فوق بيش از پنجاه درصد باشد مقدار “يک” خوانده شده و در غيراينصورت مقدار “صفر” خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عمليات فوق بسيار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانيه ( يک ميلياردم ثانيه ) اندازه گيری می گردد.